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文章詳情
恒流源電路基本原理
日期:2024-11-24 09:20
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摘要:
交流恒流源工作原理
使用SPWM高頻調製的方式,模擬成線性電抗器,,與變流器串聯(lián)而成,控製電路為線性電路與數(shù)字電路的阻合。利用進口高精度真有效值轉換器將輸出電流轉換成直流電壓信號,與精密基準電壓相比較,高精度運放組成P-I調節(jié)器,控製主回駱的阻抗,來達到恒流的目的,,大功率開關使用進口IGBT模塊,擁有效率高,無噪音,波形好的優(yōu)點,在使用中,允許負載突然開路或短路,流水線與快校臺使用尤感方便。
恒流源電路(電流反射鏡電路)
(1)基本概念:
恒流源是輸出電流保持恒定的電流源,而理想的恒流源應該擁有以下特點:
a)不因負載(輸出電壓)變化而改變;
b)不因環(huán)境溫度變化而改變;
c)內阻為無限大(以使其電流可以全部流出到外麵)。
能夠提供恒定電流的電路即為恒流源電路,,又稱為電流反射鏡電路。
(2)基本原理:
基本的恒流源電路主要是由輸入級和輸出級構成,輸入級提供參考電流,輸出級輸出需要的恒定電流。
①構成恒流源電路的基本原則:
恒流源電路就是要能夠提供一個穩(wěn)定的電流以保證其它電路穩(wěn)定工作的基礎。即要求恒流源電路輸出恒定電流,因此作為輸出級的元件應該是擁有飽和輸出電流的伏安特性。這可以使用工作於輸出電流飽和狀態(tài)的BJT 或者MOSFET來實現(xiàn)。
為了保證輸出晶體管的電流穩(wěn)定,就必須要滿足兩個條件:a)其輸入電壓要穩(wěn)定——輸入級需要是恒壓源;b)輸出晶體管的輸出電阻儘量大(*好是無窮大)——輸出級需要是恒流源。
②對於輸入級元件的要求:
因為輸入級需要是恒壓源,所以可以使用擁有電壓飽和伏安特性的元件來作為輸入級。一般的pn結二極管就擁有這種特性——指數(shù)式上升的伏安特性;另外,把增強型MOSFET的源-漏極短接所構成的二極管,也擁有類似的伏安特性——拋物線式上升的伏安特性。
在IC中使用二極管作為輸入級元件時,一般都是利用三極管進行適當連接而成的集成二極管,因為這種二極管既能夠適應IC工藝,又擁有其特殊的優(yōu)點。對於這些三極管,要求它擁有一定的放大性能,這才能使得其對應的二極管擁有較好的恒壓性能。
③對於輸出級元件的要求:
如果使用BJT,為了使其輸出電阻增大,就需要設法減小Evarly效應(基區(qū)寬度調製效應),即要儘量提高Early電壓。
如果使用MOSFET,為了使其輸出電阻增大,就需要設法減小其溝道長度調製效應和襯偏效應。因此,這裡一般是選用長溝道MOSFET ,而不用短溝道元件。
使用SPWM高頻調製的方式,模擬成線性電抗器,,與變流器串聯(lián)而成,控製電路為線性電路與數(shù)字電路的阻合。利用進口高精度真有效值轉換器將輸出電流轉換成直流電壓信號,與精密基準電壓相比較,高精度運放組成P-I調節(jié)器,控製主回駱的阻抗,來達到恒流的目的,,大功率開關使用進口IGBT模塊,擁有效率高,無噪音,波形好的優(yōu)點,在使用中,允許負載突然開路或短路,流水線與快校臺使用尤感方便。
恒流源電路(電流反射鏡電路)
(1)基本概念:
恒流源是輸出電流保持恒定的電流源,而理想的恒流源應該擁有以下特點:
a)不因負載(輸出電壓)變化而改變;
b)不因環(huán)境溫度變化而改變;
c)內阻為無限大(以使其電流可以全部流出到外麵)。
能夠提供恒定電流的電路即為恒流源電路,,又稱為電流反射鏡電路。
(2)基本原理:
基本的恒流源電路主要是由輸入級和輸出級構成,輸入級提供參考電流,輸出級輸出需要的恒定電流。
①構成恒流源電路的基本原則:
恒流源電路就是要能夠提供一個穩(wěn)定的電流以保證其它電路穩(wěn)定工作的基礎。即要求恒流源電路輸出恒定電流,因此作為輸出級的元件應該是擁有飽和輸出電流的伏安特性。這可以使用工作於輸出電流飽和狀態(tài)的BJT 或者MOSFET來實現(xiàn)。
為了保證輸出晶體管的電流穩(wěn)定,就必須要滿足兩個條件:a)其輸入電壓要穩(wěn)定——輸入級需要是恒壓源;b)輸出晶體管的輸出電阻儘量大(*好是無窮大)——輸出級需要是恒流源。
②對於輸入級元件的要求:
因為輸入級需要是恒壓源,所以可以使用擁有電壓飽和伏安特性的元件來作為輸入級。一般的pn結二極管就擁有這種特性——指數(shù)式上升的伏安特性;另外,把增強型MOSFET的源-漏極短接所構成的二極管,也擁有類似的伏安特性——拋物線式上升的伏安特性。
在IC中使用二極管作為輸入級元件時,一般都是利用三極管進行適當連接而成的集成二極管,因為這種二極管既能夠適應IC工藝,又擁有其特殊的優(yōu)點。對於這些三極管,要求它擁有一定的放大性能,這才能使得其對應的二極管擁有較好的恒壓性能。
③對於輸出級元件的要求:
如果使用BJT,為了使其輸出電阻增大,就需要設法減小Evarly效應(基區(qū)寬度調製效應),即要儘量提高Early電壓。
如果使用MOSFET,為了使其輸出電阻增大,就需要設法減小其溝道長度調製效應和襯偏效應。因此,這裡一般是選用長溝道MOSFET ,而不用短溝道元件。
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