HN2016智能sf6微水測試儀冷鏡法露點儀 SF6分解物測試儀 sf6冷鏡法露點測試儀 高質量

露點	測量範圍	－80 ℃～+20 ℃
	測量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	測量時間 （＋20℃）	<3分鐘。
環(huán)境溫度	－40℃～＋60℃

其無線發(fā)射頻段工作在ISM頻段,常用的有315MHz和433.92MHz。發(fā)射信號的調製采用頻移鍵控（2FSK）或幅移鍵控（ASK）。對於胎壓監(jiān)測係統(tǒng)（TPMS）通常會進行傳感器及無線通信信號質量測試。無線通信信號測試分為監(jiān)測模塊的發(fā)射測試，包含發(fā)射功率，發(fā)射頻率及頻偏（對於2FSK）測試；及中控臺的接收端的接收靈敏度測試。對於發(fā)射測試，可以通過DSA700/800係列頻譜儀直接進行發(fā)射功率及發(fā)射頻率測試。1、連接SF₆設備

將測量管道上螺紋端與開關接頭連接好，用扳手擰緊，關閉測量管道上另一端的針型閥；

再把測試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口；

將排氣管道連接到出氣口。

後將開關接頭與SF₆電氣設備測量接口連接好，用扳手擰緊；

2、檢查電量

本儀器優(yōu)先使用交流電。

使用直流電時，請查看右上角顯示的電池電量，如果電量低於約20％，請關機充電後繼續(xù)使用。

3、開始測量

打開儀測量管道上的針型閥，然後用麵板上的流量閥調節(jié)流量，把流量調節(jié)到0.5L/M左右，開始測量SF₆露點。

設備測量時間需要5～10分鐘，其後每臺設備需要3～5分鐘。

4、存儲數(shù)據(jù)

設備測量完成後，可以將數(shù)據(jù)保存在儀器中，按“確定”鍵調出操作菜單，具體操作方式見下節(jié)內容。將100nH的漏電感引入變壓器的兩根二次引線，並且將3μH的漏電與初級繞組串聯(lián)時，將會發(fā)生什麼。這些電感可在電流路徑中建立寄生電感，其中包括變壓器內部的漏電感以及PCB和其他元件中的電感。當初始場效應晶體管（FET）關斷時，初始漏電感仍然有電流流動，而次級漏電感開啟初始條件為0A的1-D周期。變壓器磁芯上出現(xiàn)基座電壓，所有繞組共用。該基座電壓使初級漏電中的電流斜降至0A，並使次級漏電電流斜升以將電流傳輸?shù)截撦d。

5、測量其他設備

一臺設備測量後，關閉測量管道上的針型閥和微水儀上的調節(jié)閥。將轉接頭從SF₆電氣設備上取下。如果需要繼續(xù)測量其他設備，按照上麵步驟繼續(xù)測量下一臺設備。

6、測量結束

所有設備測量結束後，關閉儀器電源。

一、 菜單操作

在測量狀態(tài)，通過確定鍵可以進入功能菜單，如圖1。

1、保存數(shù)據(jù)

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單，按“確定”鍵，進入保存數(shù)據(jù)頁麵，保存數(shù)據(jù)時，可以根據(jù)設備進行編號。

設備編號多為六位，可以通過“上”、“下”鍵增加數(shù)值大小，“左”、“右”鍵調整數(shù)據(jù)位數(shù)。

輸入編號後，按“確定”鍵，完成保存數(shù)據(jù)。按“返回”鍵可以返回上一頁，此時不保存數(shù)據(jù)。

2、查看記錄

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單，按“確定”鍵，進入查看記錄頁麵。

顯示時從後一個被保存的數(shù)據(jù)開始。

可以按“上”、“下”鍵翻看數(shù)據(jù)。揮動手臂產生的微多普勒效應利用雷達識彆運動的技術可以應用在不同的場景中。比如在體育運動中，可以借用這項技術檢測人和球類的運動狀態(tài)和運動軌跡。在居家環(huán)境下，還可以做摔倒檢測，用於預防老人摔倒。目前，我們的技術已經(jīng)可以通過處理雷達數(shù)據(jù)，實現(xiàn)運動狀態(tài)和軌跡的解讀。手勢識彆交互人機交互是雷達技術的另一個重要應用領域，如手勢識彆交互。利用雷達采集的距離、多普勒信息，以及快速采樣獲得的手動態(tài)運動曆史信息，雷達可以很好地展現(xiàn)手的動態(tài)運動特性，並可以從不同的角度觀測手的運動。

3、刪除記錄

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單，按“確定”鍵，可刪除所有數(shù)據(jù)。

4、修改時間

在測量狀態(tài)，通過按“確定”鍵可以進入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇修改時間，按“確定”鍵，進入修改時間頁麵。

通過“上”、“下”鍵可以增加時間數(shù)值，“左”、“右”鍵可以減小時間數(shù)值。

輸入小時、分鐘、秒後，按“確定”鍵可以轉到下一個修改域內。

 另外，晶體管也可能產生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產生機理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關。半導體器件產生的散粒噪聲由於半導體PN結兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應。當外加正向電壓升高時，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗儘區(qū)運動，相當於對電容充電。當正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠離耗儘區(qū)，相當於電容放電。當外加反向電壓時，耗儘區(qū)的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)時，這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電生微小波動，從而產生電流噪聲。