HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗(yàn)係統(tǒng) 青島華能生產(chǎn)三路配電箱溫升試驗(yàn)裝置 廠家直供 

用於箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿(mǎn)足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)櫃進(jìn)行試驗(yàn)的要求。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝後測(cè)試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控製測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey後，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC範(fàn)圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿(mǎn)足工作時(shí)間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間：大電流輸出不少於24小時(shí)

輸出相數(shù)：三相  多路

兩種額定電流的解釋1.HeatingCurrent功率電感在DC-DC電路中，電流經(jīng)過(guò)時(shí)，會(huì)消耗一定的功率（銅耗Copperloss+磁耗Coreloss），消耗功率會(huì)導(dǎo)致電感的溫度上升，電感一般工作溫度有一定範(fàn)圍，比如WE的電感允許的operatingtemperature:-40°C-+125°C，ambienttemperature:-40°C-+85°C。為了電感可以在一定的溫度範(fàn)圍內(nèi)正常工作，電感廠商會(huì)給出一個(gè)"基於電感溫度上升的額定電流"即HeatingCurrent，這個(gè)參數(shù)的限定值是根據(jù)電流在電感上的熱效應(yīng)定義的，在大部分公司的電感的手冊(cè)裡，以Idc（直流電流）來(lái)表示這個(gè)電流。

具備供電電源三相輸入電壓、輸入電流顯示功能

具備試驗(yàn)過(guò)程記錄功能（持續(xù)記錄輸出電壓、輸出電流相關(guān)數(shù)據(jù)）

具備試驗(yàn)結(jié)果自動(dòng)計(jì)算功能

具備傳輸後編輯報(bào)告生成功能

具備全自動(dòng)測(cè)試與手動(dòng)測(cè)試兩種方法，全自動(dòng)測(cè)試時(shí)隻需簡(jiǎn)單設(shè)置試驗(yàn)電流、時(shí)間、記錄步長(zhǎng)即可，帶自動(dòng)穩(wěn)流係統(tǒng)。係統(tǒng)跟蹤目標(biāo)電流，自動(dòng)調(diào)整、平衡三相輸出電壓、電流，並可自動(dòng)記錄電流、電壓數(shù)據(jù)，。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶(hù)具體需求配置）

青島華能生產(chǎn)三路配電箱溫升試驗(yàn)裝置 廠家直供TEMCELL一般隻找方值，使測(cè)試結(jié)果對(duì)擺放的位置比較敏感。另外，還有一種測(cè)試工具較箱，有的設(shè)計(jì)公司用來(lái)對(duì)天線(xiàn)進(jìn)行有源測(cè)試，這種方法很不可行。一方麵由於測(cè)試距離太近，另一方麵由於冇有足夠的吸波材料，外部乾擾對(duì)天線(xiàn)的測(cè)試影響比較大，這樣導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果對(duì)位置比較敏感，稍微改變一下位置測(cè)試結(jié)果就有比較大的改變，因此這種測(cè)試方法對(duì)天線(xiàn)的性能冇有多少的參考意義。用耦合測(cè)試板測(cè)試天線(xiàn)性能在生產(chǎn)過(guò)程中為了保證產(chǎn)品的生產(chǎn)品質(zhì)，往往要進(jìn)行天線(xiàn)的耦合測(cè)試。