HN2016智能sf6微水測(cè)試儀冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測(cè)試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)

露點(diǎn)	測(cè)量范圍	－80 ℃～+20 ℃
	測(cè)量精度	±1℃（－80℃～＋20℃）
	測(cè)量時(shí)間 （＋20℃）	<3分鐘。
環(huán)境溫度	－40℃～＋60℃

在ISO882-5_27及ISO882-1_25的道路車輛熔斷器國(guó)標(biāo)中，對(duì)熔斷器的參數(shù)定義及測(cè)試指標(biāo)做了詳細(xì)的說(shuō)明。完整的絲相關(guān)測(cè)試包含導(dǎo)通壓降測(cè)試，熔斷時(shí)間，級(jí)進(jìn)電流及分段能力測(cè)試。本文主要以SF3和SF51為待測(cè)對(duì)象，重點(diǎn)介紹熔斷時(shí)間測(cè)試。熔斷時(shí)間實(shí)驗(yàn)要求下圖摘自ISO882-1_27國(guó)標(biāo)中針對(duì)SF3和SF51的熔斷測(cè)試要求，熔斷時(shí)間需在過(guò)載電流從1.1IR~6.IR范圍內(nèi)測(cè)試，當(dāng)過(guò)載電流越大，熔斷時(shí)間越快。1、連接SF₆設(shè)備

將測(cè)量管道上螺紋端與開關(guān)接頭連接好，用扳手?jǐn)Q緊，關(guān)閉測(cè)量管道上另一端的針型閥；

再把測(cè)試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口；

將排氣管道連接到出氣口。

后將開關(guān)接頭與SF₆電氣設(shè)備測(cè)量接口連接好，用扳手?jǐn)Q緊；

2、檢查電量

本儀器優(yōu)先使用交流電。

使用直流電時(shí)，請(qǐng)查看右上角顯示的電池電量，如果電量低于約20％，請(qǐng)關(guān)機(jī)充電后繼續(xù)使用。

3、開始測(cè)量

打開儀測(cè)量管道上的針型閥，然后用面板上的流量閥調(diào)節(jié)流量，把流量調(diào)節(jié)到0.5L/M左右，開始測(cè)量SF₆露點(diǎn)。

設(shè)備測(cè)量時(shí)間需要5～10分鐘，其后每臺(tái)設(shè)備需要3～5分鐘。

4、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

設(shè)備測(cè)量完成后，可以將數(shù)據(jù)保存在儀器中，按“確定”鍵調(diào)出操作菜單，具體操作方式見下節(jié)內(nèi)容。WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級(jí)封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過(guò)改進(jìn)和提高的CSP，直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是的封裝測(cè)試程序，之后再進(jìn)行切割制成單顆組件的方式。上述封裝方式中，系統(tǒng)級(jí)封裝和晶圓級(jí)封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式。系統(tǒng)級(jí)封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測(cè)試等技術(shù)，在技術(shù)發(fā)展的過(guò)程中對(duì)以上領(lǐng)域都將起到帶動(dòng)作用促進(jìn)電子制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型和扇出型，IC制造領(lǐng)域巨頭臺(tái)積電能夠拿下蘋果A10訂單，其開發(fā)的集成扇出型封裝技術(shù)功不可沒。

5、測(cè)量其他設(shè)備

一臺(tái)設(shè)備測(cè)量后，關(guān)閉測(cè)量管道上的針型閥和微水儀上的調(diào)節(jié)閥。將轉(zhuǎn)接頭從SF₆電氣設(shè)備上取下。如果需要繼續(xù)測(cè)量其他設(shè)備，按照上面步驟繼續(xù)測(cè)量下一臺(tái)設(shè)備。

6、測(cè)量結(jié)束

所有設(shè)備測(cè)量結(jié)束后，關(guān)閉儀器電源。

一、 菜單操作

在測(cè)量狀態(tài)，通過(guò)確定鍵可以進(jìn)入功能菜單，如圖1。

1、保存數(shù)據(jù)

在測(cè)量狀態(tài)，通過(guò)按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單，按“確定”鍵，進(jìn)入保存數(shù)據(jù)頁(yè)面，保存數(shù)據(jù)時(shí)，可以根據(jù)設(shè)備進(jìn)行編號(hào)。

設(shè)備編號(hào)多為六位，可以通過(guò)“上”、“下”鍵增加數(shù)值大小，“左”、“右”鍵調(diào)整數(shù)據(jù)位數(shù)。

輸入編號(hào)后，按“確定”鍵，完成保存數(shù)據(jù)。按“返回”鍵可以返回上一頁(yè)，此時(shí)不保存數(shù)據(jù)。

2、查看記錄

在測(cè)量狀態(tài)，通過(guò)按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單，按“確定”鍵，進(jìn)入查看記錄頁(yè)面。

顯示時(shí)從后一個(gè)被保存的數(shù)據(jù)開始。

可以按“上”、“下”鍵翻看數(shù)據(jù)。同時(shí)，SPI也沒有多主器件協(xié)議，必須采用很復(fù)雜的軟件和外部邏輯來(lái)實(shí)現(xiàn)多主器件架構(gòu)。每個(gè)從器件需要一個(gè)單的從選擇信號(hào)?？傂盘?hào)數(shù)終為n+3個(gè)，其中n是總線上從器件的數(shù)量。導(dǎo)線的數(shù)量將隨增加的從器件的數(shù)量按比例增長(zhǎng)。同樣，在SPI總線上添加新的從器件也不方便。對(duì)于額外添加的每個(gè)從器件，都需要一條新的從器件選擇線或邏輯。圖2顯示了典型的SPI讀/寫周期。在地址或命令字節(jié)后面跟有一個(gè)讀/寫位。數(shù)據(jù)通過(guò)MOSI信號(hào)寫入從器件，通過(guò)MISO信號(hào)自從器件中讀出。

3、刪除記錄

在測(cè)量狀態(tài)，通過(guò)按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單，按“確定”鍵，可刪除所有數(shù)據(jù)。

4、修改時(shí)間

在測(cè)量狀態(tài)，通過(guò)按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單，按“上”、“下”鍵選擇修改時(shí)間，按“確定”鍵，進(jìn)入修改時(shí)間頁(yè)面。

通過(guò)“上”、“下”鍵可以增加時(shí)間數(shù)值，“左”、“右”鍵可以減小時(shí)間數(shù)值。

輸入小時(shí)、分鐘、秒后，按“確定”鍵可以轉(zhuǎn)到下一個(gè)修改域內(nèi)。

 也就是說(shuō)，壓痕接觸面積愈大，超聲硬度計(jì)的示值愈低。而非壓痕接觸大大地增加了壓頭與被測(cè)表面的接觸面積，致使硬度計(jì)示值偏低于真實(shí)值。試驗(yàn)證明，洛氏硬度測(cè)量偏差在10HRC左右；布氏硬度測(cè)量偏差在20HB左右。解決辦法：在測(cè)量試樣硬度時(shí)，我們必須注意被測(cè)表面粗糙度是否符合硬度計(jì)的檢測(cè)條件。在正常使用硬度計(jì)的條件下，必須保證試樣的被測(cè)表面粗糙度值小于或等于Ra=0.8μm，若試樣的被測(cè)表面粗糙度值大于Ra=0.8μm，可以通過(guò)機(jī)械方法（上磨床）或手工方法，對(duì)被測(cè)表面進(jìn)行研磨修整，法國(guó)凱茂KIMO使試樣的被測(cè)表面粗糙度達(dá)到檢側(cè)條件。