HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
長(zhǎng)期供應(yīng) 雷沖擊電壓發(fā)生器 工頻試驗(yàn)變壓器 變頻調(diào)感發(fā)電機(jī)交流耐壓試驗(yàn)裝置產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

低功耗與環(huán)境適應(yīng)性：低功耗是便攜式產(chǎn)品研究的重點(diǎn)，功耗決定了產(chǎn)品的使用時(shí)間及可用性，同時(shí)對(duì)溫度、濕度、防水和偶然跌落等的環(huán)境適應(yīng)能力也是便攜式產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)的主要指標(biāo)之一。高精度：隨著集成芯片制造技術(shù)、數(shù)字采樣技術(shù)和微處理器速度的提高，便攜式儀表的高準(zhǔn)確度、高分辨率測(cè)量的研究已成為主要方向。過(guò)載自動(dòng)保護(hù)、故障自診、記錄與報(bào)警。芯片：數(shù)字萬(wàn)用表的發(fā)展主要依賴(lài)于集成芯片技術(shù)的進(jìn)步，便攜式產(chǎn)品的核心技術(shù)就是集成芯片，多功能、低功耗、高可靠、高精度、低成本、小體積、嵌入式微處理器及接口將成為芯片的主要發(fā)展方向。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

盡管如此，各個(gè)通道的中心頻率可以立設(shè)置，默認(rèn)是聯(lián)動(dòng)的，也可以根據(jù)需要設(shè)置為不同值。SpectrumView支持自動(dòng)搜索峰值，多支持11個(gè)PeakMarker，幅值的頻點(diǎn)自動(dòng)標(biāo)記為“Ref.Marker”，其它Marker的頻點(diǎn)和幅值可以顯示為值，也可以顯示為相對(duì)于“Ref.Marker”的相對(duì)值。如果所需要的Marker數(shù)目超過(guò)限制，還可以通過(guò)使用頻域的cursor確定頻率和幅值。時(shí)域、頻域的立并行.信號(hào)采集和架構(gòu)示意圖給出了信號(hào)采集和處理架構(gòu)示意圖，模擬信號(hào)經(jīng)過(guò)ADC轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)后，時(shí)域和頻域是并行處理的，從而可以立設(shè)置時(shí)域和頻域捕獲時(shí)間。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

LED研發(fā)一LED光源半導(dǎo)體芯片發(fā)熱利用熱像儀，工程師可以根據(jù)得到的光源半導(dǎo)體芯片發(fā)熱紅外熱圖，出其芯片在工作時(shí)的溫度，以及溫度的分布情況，在此基礎(chǔ)，達(dá)到提高LED產(chǎn)品壽命的目的。二LED模塊驅(qū)動(dòng)電路在LED產(chǎn)品研發(fā)中，需要工程師進(jìn)行一部分驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，整流器電路模塊。利用紅外熱像儀，工程師可以迅速而便捷地發(fā)現(xiàn)電路上溫度異常之處，便于完善電路設(shè)計(jì)。三光衰試驗(yàn)LED產(chǎn)品的光衰就是光在傳輸中的信號(hào)減弱，而現(xiàn)階段的LED大廠們做出的LED產(chǎn)品光衰程度都不相同，大功率LED同樣存在光衰，這和溫度有著直接的關(guān)系，主要是由晶片、熒光粉和封裝技術(shù)決定的。