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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗(yàn),電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)
詳情介紹:

HN2016智能sf6微水測試儀冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)
冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)

露點(diǎn)

測量范圍

80 ℃~+20

測量精度

±1℃(-80℃~+20℃)

測量時間

(+20℃)

<3分鐘。

環(huán)境溫度

  40℃~+60

在ISO882-5_27及ISO882-1_25的道路車輛熔斷器國標(biāo)中,對熔斷器的參數(shù)定義及測試指標(biāo)做了詳細(xì)的說明。完整的絲相關(guān)測試包含導(dǎo)通壓降測試,熔斷時間,級進(jìn)電流及分段能力測試。本文主要以SF3和SF51為待測對象,重點(diǎn)介紹熔斷時間測試。熔斷時間實(shí)驗(yàn)要求下圖摘自ISO882-1_27國標(biāo)中針對SF3和SF51的熔斷測試要求,熔斷時間需在過載電流從1.1IR~6.IR范圍內(nèi)測試,當(dāng)過載電流越大,熔斷時間越快。冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)1、連接SF6設(shè)備

將測量管道上螺紋端與開關(guān)接頭連接好,用扳手?jǐn)Q緊,關(guān)閉測量管道上另一端的針型閥;

再把測試管道上的快速接頭一端插入儀器上的采樣口;

將排氣管道連接到出氣口。

后將開關(guān)接頭與SF6電氣設(shè)備測量接口連接好,用扳手?jǐn)Q緊;

2、檢查電量

本儀器優(yōu)先使用交流電。

使用直流電時,請查看右上角顯示的電池電量,如果電量低于約20%,請關(guān)機(jī)充電后繼續(xù)使用。

3、開始測量

打開儀測量管道上的針型閥,然后用面板上的流量閥調(diào)節(jié)流量,把流量調(diào)節(jié)到0.5L/M左右,開始測量SF6露點(diǎn)。

設(shè)備測量時間需要510分鐘,其后每臺設(shè)備需要35分鐘。

4、存儲數(shù)據(jù)

設(shè)備測量完成后,可以將數(shù)據(jù)保存在儀器中,按“確定”鍵調(diào)出操作菜單,具體操作方式見下節(jié)內(nèi)容。WLP(WaferLevelPackaging):晶圓級封裝,是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進(jìn)和提高的CSP,直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是的封裝測試程序,之后再進(jìn)行切割制成單顆組件的方式。上述封裝方式中,系統(tǒng)級封裝和晶圓級封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式。系統(tǒng)級封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測試等技術(shù),在技術(shù)發(fā)展的過程中對以上領(lǐng)域都將起到帶動作用促進(jìn)電子制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。晶圓級封裝可分為扇入型和扇出型,IC制造領(lǐng)域巨頭臺積電能夠拿下蘋果A10訂單,其開發(fā)的集成扇出型封裝技術(shù)功不可沒。冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)

5、測量其他設(shè)備

一臺設(shè)備測量后,關(guān)閉測量管道上的針型閥和微水儀上的調(diào)節(jié)閥。將轉(zhuǎn)接頭從SF6電氣設(shè)備上取下。如果需要繼續(xù)測量其他設(shè)備,按照上面步驟繼續(xù)測量下一臺設(shè)備。

6、測量結(jié)束

所有設(shè)備測量結(jié)束后,關(guān)閉儀器電源。

 

一、 菜單操作

在測量狀態(tài),通過確定鍵可以進(jìn)入功能菜單,如圖1。

其中,該被測系統(tǒng)主要采用芯片LMR14050SSQDDARQ1輸出5V/5A,并給后續(xù)芯片TPS65263QRHBRQ1供電,同時輸出1.5V/3A,3.3V/2A以及1.8V/2A。這兩個芯片都工作在2.2MHz的開關(guān)頻率下。另外,圖中顯示的傳導(dǎo)EMI標(biāo)準(zhǔn)是CISPR25Class5。有關(guān)該系統(tǒng)的更多信息,請查閱應(yīng)用筆記SNVA810。C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特性(無濾波器)顯示了增加一個DM濾波器后的EMI結(jié)果。冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)

1、保存數(shù)據(jù)

在測量狀態(tài),通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇“保存記錄”菜單,按“確定”鍵,進(jìn)入保存數(shù)據(jù)頁面,保存數(shù)據(jù)時,可以根據(jù)設(shè)備進(jìn)行編號。

設(shè)備編號多為六位,可以通過“上”、“下”鍵增加數(shù)值大小,“左”、“右”鍵調(diào)整數(shù)據(jù)位數(shù)。

輸入編號后,按“確定”鍵,完成保存數(shù)據(jù)。按“返回”鍵可以返回上一頁,此時不保存數(shù)據(jù)。

2、查看記錄

在測量狀態(tài),通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇“查看記錄”菜單,按“確定”鍵,進(jìn)入查看記錄頁面。

顯示時從后一個被保存的數(shù)據(jù)開始。

可以按“上”、“下”鍵翻看數(shù)據(jù)。同時,SPI也沒有多主器件協(xié)議,必須采用很復(fù)雜的軟件和外部邏輯來實(shí)現(xiàn)多主器件架構(gòu)。每個從器件需要一個單的從選擇信號??傂盘枖?shù)終為n+3個,其中n是總線上從器件的數(shù)量。導(dǎo)線的數(shù)量將隨增加的從器件的數(shù)量按比例增長。同樣,在SPI總線上添加新的從器件也不方便。對于額外添加的每個從器件,都需要一條新的從器件選擇線或邏輯。圖2顯示了典型的SPI讀/寫周期。在地址或命令字節(jié)后面跟有一個讀/寫位。數(shù)據(jù)通過MOSI信號寫入從器件,通過MISO信號自從器件中讀出。冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)

3、刪除記錄

在測量狀態(tài),通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇“刪除記錄”菜單,按“確定”鍵,可刪除所有數(shù)據(jù)。

4、修改時間

在測量狀態(tài),通過按“確定”鍵可以進(jìn)入功能菜單,按“上”、“下”鍵選擇修改時間,按“確定”鍵,進(jìn)入修改時間頁面。

通過“上”、“下”鍵可以增加時間數(shù)值,“左”、“右”鍵可以減小時間數(shù)值。

輸入小時、分鐘、秒后,按“確定”鍵可以轉(zhuǎn)到下一個修改域內(nèi)。

 也就是說,壓痕接觸面積愈大,超聲硬度計(jì)的示值愈低。而非壓痕接觸大大地增加了壓頭與被測表面的接觸面積,致使硬度計(jì)示值偏低于真實(shí)值。試驗(yàn)證明,洛氏硬度測量偏差在10HRC左右;布氏硬度測量偏差在20HB左右。解決辦法:在測量試樣硬度時,我們必須注意被測表面粗糙度是否符合硬度計(jì)的檢測條件。在正常使用硬度計(jì)的條件下,必須保證試樣的被測表面粗糙度值小于或等于Ra=0.8μm,若試樣的被測表面粗糙度值大于Ra=0.8μm,可以通過機(jī)械方法(上磨床)或手工方法,對被測表面進(jìn)行研磨修整,法國凱茂KIMO使試樣的被測表面粗糙度達(dá)到檢側(cè)條件。冷鏡式露點(diǎn)儀 SF6綜合測試儀 氣體定量檢漏儀 30年經(jīng)驗(yàn)


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