HN11C高壓開(kāi)關(guān)綜合測(cè)試儀高壓開(kāi)關(guān)特性測(cè)試儀 HN11C系列 真空度測(cè)量?jī)x 現(xiàn)貨供應(yīng)
一、功能特點(diǎn) 

測(cè)試指標(biāo)：可測(cè)試國(guó)產(chǎn)（進(jìn)口）真空、六氟化硫、油高壓斷路器，負(fù)荷開(kāi)關(guān)、GIS接地刀閘開(kāi)關(guān)、接觸器、繼電器、空氣開(kāi)關(guān)等。合、分閘時(shí)間、同期、彈跳時(shí)間、次數(shù)、自動(dòng)重合閘、行程、速度、電流、動(dòng)作電壓等各項(xiàng)數(shù)據(jù)、波形。

抗擾通道：可抵御550KV變電所現(xiàn)場(chǎng)靜電干擾！常用的工業(yè)紅外熱像儀，其工作波段通常在8-14μm的長(zhǎng)波波段，溫度范圍一般在-20-600℃以內(nèi)。紅外熱像儀是一種新型的光電探測(cè)設(shè)備，可將被測(cè)目標(biāo)表面的熱信息瞬間可視化，快速故障，并且在專業(yè)的軟件的幫助下，可進(jìn)行，完成空調(diào)設(shè)備的供電設(shè)備、壓縮機(jī)、管道、出風(fēng)口等檢測(cè)工作，保證空調(diào)能夠，持續(xù)的運(yùn)行。熱像儀由兩個(gè)基本部分組成：光學(xué)器件和探測(cè)器。光學(xué)器件將物體發(fā)出的紅外輻射聚集到探測(cè)器上，探測(cè)器把入射的輻射轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，進(jìn)而被處理成可見(jiàn)圖像，即熱圖。

位移通道：1路位移信號(hào)采集，適配耐用的精密電阻線性位移、角位移傳感器。亦可適配用戶傳統(tǒng)自配的滑線電阻傳感器。

同步觸發(fā)：可響應(yīng)電壓、電流、傳感器、斷口變化多種同步觸發(fā)方式。具有無(wú)電位接點(diǎn)操作控制模塊，無(wú)彈跳接點(diǎn)，接點(diǎn)開(kāi)斷容量： 30A，250V（AC/DC）

操作界面：5.7″黑白液晶屏，菜單式操作，并在面板上增加了快捷設(shè)置按鍵。配備高精度激光傳感器，傳感器安裝迅速、快捷、簡(jiǎn)單；同時(shí)也可配置滑線電阻傳感器和角度傳感器；并配備齊全相關(guān)傳感器、斷路器的測(cè)試支架；挑戰(zhàn)接到華南某環(huán)境監(jiān)測(cè)中心的咨詢，在測(cè)量垃圾焚燒廠時(shí)，傳統(tǒng)的煙氣儀無(wú)法測(cè)出讀數(shù)。不僅因?yàn)槔紵龝?huì)產(chǎn)生多種污染源氣體包括Hcl、HCl2和HCN。而且垃圾中的含水率可達(dá)5%，在燃燒后會(huì)導(dǎo)致煙氣組分中含有大量的水分。污染源組分復(fù)雜，且濃度較低，濕度較高，使得測(cè)量十分艱難。解決方案現(xiàn)有市面上的方法:在測(cè)量煙氣前端，將水分通過(guò)冷凝的方法除去，得到干態(tài)的煙氣，這是現(xiàn)有比較流行的方法。但是在這個(gè)方法中，我們可以很容易的發(fā)現(xiàn):需要前置的預(yù)處理器，用于過(guò)濾煙塵，以及除去水分，但是在除去水分的過(guò)程中，會(huì)有一部分的煙氣損失，特別是遇到現(xiàn)場(chǎng)只有幾個(gè)ppm的這種情況，幾乎無(wú)法進(jìn)行測(cè)量。

速度定義：提供了常用的開(kāi)關(guān)速度定義庫(kù)和可編輯速度定義庫(kù)兩種模式可供用戶自行選擇。

錄波功能：12路普通金屬觸頭通斷、線圈電流；行程、時(shí)間波形。具有斷路器型號(hào)庫(kù)功能，測(cè)試時(shí)可直接調(diào)用數(shù)據(jù)庫(kù)斷路器型號(hào)，無(wú)需特別設(shè)置

U盤存儲(chǔ)：可將數(shù)據(jù)及波形文件快速存儲(chǔ)到U盤，直接用上位機(jī)軟件打開(kāi)。

在線幫助：儀器內(nèi)置豐富的接線、安裝、測(cè)試操作幫助。無(wú)說(shuō)明書(shū)就能簡(jiǎn)單使用。再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分，開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意，大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開(kāi)關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開(kāi)關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決：不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。