青島華能HN系列 微型互感器誤差試驗(yàn)裝置 生產(chǎn)廠家HN10A互感器特性綜合測(cè)試儀

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等. 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線(xiàn)、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.在過(guò)去10余年里，車(chē)用半導(dǎo)體廠商開(kāi)發(fā)出了若干個(gè)車(chē)門(mén)執(zhí)行機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)器芯片，并隨著汽車(chē)電氣負(fù)載數(shù)量不斷增加，給這些產(chǎn)品增加了新功能，對(duì)封裝以及芯片制造技術(shù)和IP內(nèi)核進(jìn)行了優(yōu)化。在車(chē)門(mén)區(qū)電子元器件中，除驅(qū)動(dòng)芯片()外，還有一個(gè)電源管理IC，為電控單元提供更強(qiáng)的系統(tǒng)電源，包括待機(jī)模式和通信層(主要是LIN和/或HSCAN)。電源管理芯片通常集成兩個(gè)低壓差穩(wěn)壓器，為系統(tǒng)微控制器和外設(shè)負(fù)載(傳感器等外設(shè))供電，還包含增強(qiáng)型系統(tǒng)待機(jī)功能，以及可設(shè)置的本地和遠(yuǎn)程喚醒功能。

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線(xiàn)、 5％誤差曲線(xiàn)、準(zhǔn)確限值系數(shù)（ALF）、 儀表保安系數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。OSI意為開(kāi)放式系統(tǒng)互聯(lián)。標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）制定了OSI模型，該模型定義了不同計(jì)算機(jī)互聯(lián)的標(biāo)準(zhǔn)，是設(shè)計(jì)和描述計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)通信的基本框架。OSI模型把網(wǎng)絡(luò)通信的工作分為7層，分別是物理層、數(shù)據(jù)鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層、傳輸層、會(huì)話(huà)層、表示層和應(yīng)用層。從OSI的7層網(wǎng)絡(luò)模型的角度來(lái)看同，CAN現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)僅僅定義了第1層（物理層，見(jiàn)ISO11898-2標(biāo)準(zhǔn)）、第2層（數(shù)據(jù)鏈路層，見(jiàn)ISO11898-1標(biāo)準(zhǔn)）；而在實(shí)際設(shè)計(jì)中，這兩層完全由硬件實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員無(wú)需再為此開(kāi)發(fā)相關(guān)軟件（Software）或固件（Firmware），只要了解如何調(diào)用相關(guān)的接口和寄存器，即可完成對(duì)CAN的控制。

具體接線(xiàn)步驟和說(shuō)明如下：

斷開(kāi)電力線(xiàn)與CT一次側(cè)的連接，未接地的電力線(xiàn)較長(zhǎng)，會(huì)給CT一次側(cè)的測(cè)量引入較大干擾，參見(jiàn)圖3.4。

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.3所示，斷開(kāi)被測(cè)CT二次側(cè)和二次負(fù)荷的連接在對(duì)變比值相同的多繞組電流互感器進(jìn)行CT或CT比差角差測(cè)試時(shí)，沒(méi)有測(cè)試的二次繞組應(yīng)短接，否則測(cè)試誤差將會(huì)偏大保護(hù)10P10，Atmel、賽普拉斯、Microchip和NXP等多家公司已經(jīng)把部分用戶(hù)可定義邏輯添加到自己的部件上，用于修復(fù)部分此類(lèi)問(wèn)題。這些器件主要是帶附加邏輯的微控制器。CPU仍然是主要的處理器件，附加邏輯的作用是提高CPU的工作效率。這類(lèi)器件常見(jiàn)于成本敏感性產(chǎn)品中，但也在低級(jí)任務(wù)中用作小型協(xié)處理器，以減輕主處理器的負(fù)擔(dān)，從而提升效率。另一方面FPGA也正在朝著類(lèi)似的目標(biāo)前進(jìn)，雖然是從另一個(gè)方向。賽靈思和Altera多年來(lái)一直在添加軟硬核處理器以創(chuàng)建片上系統(tǒng)。暫態(tài)TPY三個(gè)繞組的2000/1的CT，進(jìn)行0.5級(jí)繞組的比差角差測(cè)量時(shí)應(yīng)按照?qǐng)D3征能ES31接地電阻儀（簡(jiǎn)易型）具有：3線(xiàn)法接地電阻、接地電壓測(cè)量。手動(dòng)換檔，數(shù)據(jù)上傳功能，報(bào)警功能，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)5組，接地電阻量程：.Ω～3Ω，接地電壓量程：～6V等。此為測(cè)量路燈的其中一個(gè)實(shí)例。準(zhǔn)備測(cè)量的路燈打開(kāi)征能ES31接地電阻儀（簡(jiǎn)易型）儀表箱，準(zhǔn)備接線(xiàn)按下圖接線(xiàn)，紅，黃，綠線(xiàn)，分別相差5米。此為精密三線(xiàn)法測(cè)量。打接地棒，將紅、黃測(cè)試線(xiàn)分別鉗在接地棒上將綠色測(cè)試線(xiàn)鉗在路燈接地引下線(xiàn)上測(cè)試線(xiàn)按對(duì)應(yīng)顏色與主機(jī)接線(xiàn)接線(xiàn)完成，準(zhǔn)備測(cè)試將旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)旋至3Ω檔按紅色TEST鍵開(kāi)始測(cè)試儀表測(cè)試1秒中測(cè)出接地電阻值為6.4Ω，規(guī)定路燈1Ω以下。.4.1進(jìn)行接線(xiàn)具體接線(xiàn)步驟和說(shuō)明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照?qǐng)D3.6所示，斷開(kāi)PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負(fù)荷的一端，參見(jiàn)圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負(fù)荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時(shí)，CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應(yīng)保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，電容老化測(cè)試設(shè)備內(nèi)部可編程電源輸出的合理紋波和數(shù)米長(zhǎng)線(xiàn)纜上耦合的高頻噪聲容易干擾漏電流檢測(cè)結(jié)果?？删幊屉娫摧敵鼋?jīng)過(guò)數(shù)米長(zhǎng)線(xiàn)纜后，終注入電容LC測(cè)試功能模塊。當(dāng)干擾噪聲嚴(yán)重時(shí)，現(xiàn)場(chǎng)實(shí)際測(cè)量的u漏電流結(jié)果誤差增大，甚至可能出現(xiàn)負(fù)值，造成產(chǎn)品測(cè)試異常，帶來(lái)終端客戶(hù)抱怨。我們?nèi)绾尾拍茉诠S內(nèi)部復(fù)雜電磁環(huán)境下確保電容樣品漏電流特性的高精度測(cè)量呢？下面分享某電容老化測(cè)試客戶(hù)高精度供電干擾改善案例，利用TDK-Lambda業(yè)界的可編程電源匹配合理外圍方案，從而解決傳統(tǒng)電容老化客戶(hù)普遍面臨的痛點(diǎn)問(wèn)題。青島華能HN系列 微型互感器誤差試驗(yàn)裝置 生產(chǎn)廠家