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HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

測量校核型號的CT、PT，包括保護(hù)CT、計量CT、TP級暫態(tài)CT、勵磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級PT等. 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測量.容性負(fù)載過大如中的電路所示，一個3W的模塊，輸出使用了2uF的電容，而通過查閱產(chǎn)品手冊了解到，模塊建議輸出電容為8uF。輸出電容過大可能導(dǎo)致啟動，而對于不帶短路保護(hù)的微功率DC-DC模塊，輸出電容過大甚至可能導(dǎo)致模塊損壞。接開關(guān)電源芯片，注意啟動如所示，電源模塊的輸出電壓是逐漸建立的，電路的LM2576沒有設(shè)計欠壓鎖定，在VIN電壓較低時即開始啟動，若OUT負(fù)載過重，可能被24V模塊誤判為短路或容性負(fù)載過大，從而導(dǎo)致啟動。

自動給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)（ALF）、 儀表保安系數(shù)（FS）、 二次時間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級、飽和和不飽和電感等參數(shù)。Atmel、賽普拉斯、Microchip和NXP等多家公司已經(jīng)把部分用戶可定義邏輯添加到自己的部件上，用于修復(fù)部分此類問題。這些器件主要是帶附加邏輯的微控制器。CPU仍然是主要的處理器件，附加邏輯的作用是提高CPU的工作效率。這類器件常見于成本敏感性產(chǎn)品中，但也在低級任務(wù)中用作小型協(xié)處理器，以減輕主處理器的負(fù)擔(dān)，從而提升效率。另一方面FPGA也正在朝著類似的目標(biāo)前進(jìn)，雖然是從另一個方向。賽靈思和Altera多年來一直在添加軟硬核處理器以創(chuàng)建片上系統(tǒng)。

具體接線步驟和說明如下：

斷開電力線與CT一次側(cè)的連接，未接地的電力線較長，會給CT一次側(cè)的測量引入較大干擾，參見圖3.4。

將CT一次側(cè)一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)黑色端子將CT一次側(cè)另一端連接至CTPT儀CT一次側(cè)/PT二次側(cè)紅色端子將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照圖3.3所示，斷開被測CT二次側(cè)和二次負(fù)荷的連接在對變比值相同的多繞組電流互感器進(jìn)行CT或CT比差角差測試時，沒有測試的二次繞組應(yīng)短接，否則測試誤差將會偏大保護(hù)10P10，典型充電器框圖在有線應(yīng)用中，變壓器是一個帶有核心的單元，可確保初級產(chǎn)生的(幾乎)所有通量都能耦合到次級。這確保了高水平功率傳輸，進(jìn)而助力構(gòu)建高能效的充電器。為了打造無線充電器，變壓器被分為初級和次級，初級(發(fā)射器)保留在充電器中，次級(接收器)位于將要充電的設(shè)備中。初級和次級之間的距離將因應(yīng)用而異，并會對充電器的性能產(chǎn)生重大影響。通過將核心替換為“空氣”，通量傳輸減少。如果在基于核心的變壓器中，耦合系數(shù)(k)近似為1，那么在無線應(yīng)用中，k的值將接近0.25。暫態(tài)TPY三個繞組的2000/1的CT，進(jìn)行0.5級繞組的比差角差測量時應(yīng)按照圖3以下是紅外熱像儀應(yīng)用中套管電壓致熱缺陷的診斷根據(jù)：套管外壁是一層導(dǎo)熱性能較差的絕緣陶瓷，通過測量表面溫度，我們很難得到設(shè)備內(nèi)部的真實(shí)溫度。一般來說，我們建議采用三相對比的方式來衡量套管是否異常發(fā)熱。對于套管缺油的情況，是一種電壓致熱故障。這種故障對于電力部門的**生產(chǎn)是一種較大隱患。在實(shí)際運(yùn)行中檢測人員應(yīng)當(dāng)注意觀察，以免造成重大損失。以下是套管缺油的診斷判據(jù)：變壓器套管熱缺陷處理建議如果異常發(fā)熱是由于將軍帽與外部接線板或內(nèi)部導(dǎo)電桿接觸所造成的。.4.1進(jìn)行接線具體接線步驟和說明如下：將CTPT儀的接地柱連接到保護(hù)地PE將按照圖3.6所示，斷開PT二次側(cè)和二次回路的連接將CTPT儀功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的黑色端子連接至二次負(fù)荷的一端，參見圖3.6將CTPT功率輸出和CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的紅色端子連接至二次負(fù)荷的另一端為了消除接觸電阻的影響，在連接CTPT儀的端子時，CT二次側(cè)/PT一次側(cè)的連接端子應(yīng)保持在功率輸出端子的內(nèi)側(cè)工程師在設(shè)計一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計算后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢？工程師在設(shè)計的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計，案例我們放到后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念：其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到空氣的熱阻，一般功率器件用Rjc進(jìn)行計算即可。青島華能供應(yīng) 電子式互感器校驗(yàn)儀 誠信服務(wù)