HNWDL-8000溫升三相大電流發(fā)生器 青島華能專(zhuān)業(yè)定制 交流溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 廠家直供

又稱(chēng)：大電流溫升試驗(yàn)設(shè)備，大電流溫升試驗(yàn)系統(tǒng)，大電流溫升試驗(yàn)裝置

功能簡(jiǎn)介：

     HNWDL-10000溫升三相大電流發(fā)生器主要用于母線(xiàn)槽，開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)柜和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。

功能特點(diǎn)：

1）內(nèi)置高配置工控機(jī)，采用可編程控制器西門(mén)子S730PLC作為中心處理器，對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)掃描,實(shí)現(xiàn)監(jiān)測(cè)和閉環(huán)控制，并設(shè)計(jì)設(shè)置管理，只有獲得相應(yīng)操作權(quán)限的人員，才能進(jìn)行某些功能的操作。拉曼散射是由光纖中非傳播的局域密度不均勻和成分不均勻所致，這種不均勻性是在拉纖階段，化硅由熔融態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槟虘B(tài)的過(guò)程中形成的。激光脈沖在光纖中所走過(guò)的路程為：2L=vt。其中，t為入射光經(jīng)后向散射返回到光纖入射端所需時(shí)間;v為光在光纖中的傳播速度，v=c/n，c為真空中的光速，n為光纖的折射率;L為光纖某處到光纖入射端的距離。在t時(shí)刻測(cè)量距光纖入射端距離為L(zhǎng)處局域的后向拉曼散射光，OTDR為分布式測(cè)量提供可靠的理論依據(jù)。

2）進(jìn)口PC機(jī)15英寸真彩大液晶觸摸工業(yè)平板電腦操作，采用支持現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)技術(shù)的智能型傳感器，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳送的全數(shù)字化，顯示操作單元選用了觸摸式彩色液晶顯示屏，全中文菜單，界面清晰直觀，操作簡(jiǎn)單方便。測(cè)試無(wú)需外接任何輔助設(shè)備，全自動(dòng)控制，式操作，快捷、簡(jiǎn)單、方便

3）本儀器測(cè)試方法有全自動(dòng)測(cè)試與手動(dòng)測(cè)試兩種方法，只需設(shè)置簡(jiǎn)單的試驗(yàn)電流與時(shí)間即可。帶有自動(dòng)穩(wěn)流系統(tǒng)，配有4個(gè)USB口，輕松U盤(pán)、打印機(jī)等多種設(shè)備。并以通過(guò)鼠標(biāo)接口直接操作。提供RS232和RS485兩種通訊接口選擇，可與后臺(tái)計(jì)算機(jī)連接，通過(guò)RS232接口可以直接與電腦PC機(jī)通訊，可以打印曲線(xiàn)，提供電腦通訊軟件；實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)和溫度曲線(xiàn)打??；一旦收集到數(shù)據(jù)，就可以對(duì)其進(jìn)行并用于未來(lái)的火山爆發(fā)?！笆褂檬殖质綗嵯駜x進(jìn)行測(cè)量有很多優(yōu)勢(shì)，”夏威夷大學(xué)希洛校區(qū)地質(zhì)系主任SteveLundblad表示：“USGS的科學(xué)家在進(jìn)入一些潛在危險(xiǎn)地區(qū)時(shí)，必須對(duì)危險(xiǎn)格外警惕。借助便攜式熱像儀，可以輕松即時(shí)獲得事件發(fā)展和變化的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。而使用其他方法測(cè)量溫度可能需要額外的時(shí)間來(lái)安裝和回收設(shè)備。”比如熱耦合器，該設(shè)備必須被確實(shí)放置于地面，測(cè)量完成后再拆除回收。

4）只需設(shè)置好目標(biāo)電流即可，無(wú)需人工監(jiān)控，僅需設(shè)定測(cè)試、電流和步長(zhǎng)，省去手動(dòng)調(diào)壓、人工記錄、描繪曲線(xiàn)等煩瑣勞動(dòng)，減小勞動(dòng)強(qiáng)度，提高工作效率也可工作結(jié)束后把數(shù)據(jù)讀到電腦上查看即可。

5）有超過(guò)限定值自動(dòng)報(bào)功能具有可靠的過(guò)熱、過(guò)流、過(guò)壓及短路自我保護(hù)功能。交流調(diào)壓裝置保護(hù)應(yīng)采用微機(jī)自動(dòng)保護(hù)控制和機(jī)械微動(dòng)限位開(kāi)關(guān)雙重保護(hù)，確保恒流電源正常工作，提高產(chǎn)品的**性、可靠性。

如何判別單、雙向可控硅？先任測(cè)兩個(gè)極，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋），可能是K或A極（對(duì)單向可控硅）也可能是TT1或TG極（對(duì)雙向可控硅）。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè)，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T(mén)1極，余下是T2極。

主要技術(shù)指標(biāo)：電流值由客戶(hù)根據(jù)需要確定

型號(hào)		HNWDL-8000A
大輸出電流		交流單相8000A  3組
電路方式		電動(dòng)柱式調(diào)壓器
交流輸入	相線(xiàn)	3Φ4W +G
	電壓	380V±10%，50Hz±2%三相四線(xiàn)
	輸入電流	834A
輸出	相線(xiàn)	1Φ2W +G
	開(kāi)路電壓	0-20V自動(dòng)轉(zhuǎn)換
	電流	AC  0-8000A連續(xù)可調(diào)   準(zhǔn)度：0.5
	穩(wěn)流準(zhǔn)度	輸出電流≤±0.2%
	輸出端子	接線(xiàn)端子
	保護(hù)	電子電路快速偵測(cè)過(guò)電壓、過(guò)電流、過(guò)高溫自動(dòng)跳脫保護(hù)及告裝置 非測(cè)試狀態(tài)電壓為零，電流為零

青島華能專(zhuān)業(yè)定制 交流溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 廠家直供按照存儲(chǔ)芯片MicroSD卡供電要求的范圍：2.7V-3.6V；不允許超出此范圍，否則，芯片在不穩(wěn)定的電壓下工作會(huì)有比較大的風(fēng)險(xiǎn)，甚至?xí)?duì)卡片的正常工作帶來(lái)影響。需要考慮的是示波器的設(shè)置，究竟是否需要進(jìn)行20MHZ的帶寬限制？詳細(xì)的使用環(huán)境如下圖所示：如何去測(cè)試“高頻開(kāi)關(guān)電源”噪聲IPAD剛引出來(lái)的那個(gè)端口可以當(dāng)做電源的源端，而通過(guò)后端的外圍模塊后在末端進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，電源通過(guò)了一段PCB走線(xiàn)，包括一些芯片回路，應(yīng)該存在高頻的噪聲，如果采用20MHZ的帶寬限制，實(shí)際上是將原本屬于模塊的噪聲給濾掉了，為此，我們進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證：步，我先驗(yàn)證IPAD的供電端在工作時(shí)的輸出，如下圖：通過(guò)直接驗(yàn)證IPAD的輸出口的電壓,保證源端的供電是正常的；通過(guò)測(cè)試，我們發(fā)現(xiàn)在源端測(cè)量的電壓值在3.4V（500MHZ帶寬測(cè)量）左右，峰峰值29mV，是非常穩(wěn)定的供電；可以排除源端供電的問(wèn)題，接下來(lái)，我們直接在通過(guò)整個(gè)模塊后在MicroSD卡的供電腳SDVCC對(duì)電行測(cè)量，如下圖：當(dāng)我們?cè)趫D片上的點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)在高頻開(kāi)關(guān)電源上有相當(dāng)大的噪聲，使得電壓超出了規(guī)范要求的范圍，值達(dá)到了3.814V，峰峰值達(dá)854mV；但當(dāng)我們將示波器設(shè)置為20MHZ帶寬的時(shí)候，高頻開(kāi)關(guān)電源變的非常好，完全在供電要求的范圍內(nèi)；正如在本文開(kāi)頭描述的，在本次高頻開(kāi)關(guān)電源測(cè)試過(guò)程中，已經(jīng)不是高頻開(kāi)關(guān)電源紋波測(cè)量，而應(yīng)該是噪聲。